Новости

Мощные МОП-транзисторы, обеспечивающие высокую плотность тока
07.04.2013

Мощные МОП-транзисторы, обеспечивающие высокую плотность тока.При площади основания на 40% меньшей, чем у стандартного корпуса SO-8 и высоте 0,7mm, семейство DirectFET 30-вольтных МОП-транзисторов обеспечивает меньшую занимаемую площадь и высокую плотность тока в конструкциях синхронных понижающих преобразователей. Модели IRF6724M, IRF6725M, IRF6726M и IRF6727M имеют обычные основания корпуса MT и MX, как и предыдущее поколение компонентов, что обеспечивает легкую смену транзисторов. Особенности серии включают в себя сопротивление в открытом состоянии равное 1,2 -5,1mOhm при10V и 1,8-8.5 mOhm при 4,5V, полный заряд затвора от 11 до 49nC и заряд затвор-сток от 3,7 до 16nC.

Источник